今天給各位分享晶圓si是什么材質(zhì)的知識，其中也會對晶體si的主要用途進(jìn)行解釋，現(xiàn)在開始吧！

Si可以制成半導(dǎo)體材料嗎？

當(dāng)然可以，SI是半導(dǎo)體最常用的材料，我們常說的晶圓，就是SI材料。

晶圓是什么東西？

晶圓是生產(chǎn)集成電路所用的載體。

晶圓（英語：Wafer)是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅芯片，是生產(chǎn)集成電路（integrated circuit，IC）所用的載體。而我們現(xiàn)實(shí)中比較常見到的硅晶片就要數(shù)電腦CPU和手機(jī)芯片。

在半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是集成電路領(lǐng)域，晶圓的身影隨處可見。晶圓就是一塊薄薄的、圓形的高純硅晶片，而在這種高純硅晶片上可以加工制作出各種電路元件構(gòu)，使之成為有特定電性功能的IC產(chǎn)品。

晶圓制造工藝：

表面清洗：晶圓表面附著大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)層，在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。

初次氧化：由熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)。

熱CVD：此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜）等，故用途極廣。

以上內(nèi)容參考：百度百科-晶圓

si半導(dǎo)體 是什么意思

就是硅基半導(dǎo)體,Si是化學(xué)元素硅,

硅基半導(dǎo)體是以硅材料為基礎(chǔ)發(fā)展起來的新型材料。包括絕緣層上的硅材料、鍺硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅為基底異質(zhì)外延其他化合物半導(dǎo)體材料等。

能不能給一下這個(gè)材料具體一點(diǎn)的信息

砷化鎵（英文名稱為Gallium arsenide，化學(xué)式為GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導(dǎo)體材料，被用來制作像微波集成電路（例如單晶微波集成電路 MMIC）、紅外線發(fā)光二極管、雷射二極管和太陽電池等元件。

砷化鎵的優(yōu)點(diǎn)

GaAs擁有一些比Si還要好的電子特性，如高的飽和電子速率及高的電子移動率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時(shí)都操作在高頻時(shí)，GaAs會擁有較少的噪聲。也因?yàn)镚aAs有較高的崩潰電壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因?yàn)檫@些特性，GaAs電路可以運(yùn)用在移動電話、衛(wèi)星通訊、微波點(diǎn)對點(diǎn)連線、雷達(dá)系統(tǒng)等地方。GaAs曾用來做成Gunn diode (中文翻做甘恩二極管或微波二極管) 以發(fā)射微波。

GaAs的的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)：它是直接能隙的材料，所以可以用來發(fā)光。而Si是間接能隙的材料，只能發(fā)射非常微弱的光。(但是，最近的技術(shù)已經(jīng)可以用Si做成LED和運(yùn)用在雷射。)

因?yàn)镚aAs的切換速度很快，所以GaAs被認(rèn)為是電腦應(yīng)用的理想材料。1980年代時(shí)，大家都認(rèn)為微電子市場的主力將從Si換成GaAs。首先試著要去改變的有超級電腦的供應(yīng)商Cray電腦公司、Convex電腦公司，Alliant電腦系統(tǒng)公司，這些公司都試著要搶下CMOS微處理器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位。Cray公司最后終于在1990年代早期建造了一臺GaAs為基礎(chǔ)的機(jī)器，叫Cray-3。但這項(xiàng)成就還沒有被充分地運(yùn)用，公司就在1995年破產(chǎn)了。

硅的優(yōu)點(diǎn)

Si比GaAs好，有三個(gè)主要理由。第一，Si制程是大量生產(chǎn)且便宜的制程。且Si有較好的物理應(yīng)力，所以可做成大尺寸的晶圓（現(xiàn)今，Si晶圓直徑約為300 mm，而GaAs晶圓最大直徑約只有150 mm）。在地球表面上有大量Si的原料：硅酸鹽礦。硅工業(yè)已發(fā)展到規(guī)模經(jīng)濟(jì)（透過高的產(chǎn)能以降低單位產(chǎn)品的成本）的情形了，更降低了工業(yè)界使用GaAs的意愿。

第二個(gè)主要的優(yōu)點(diǎn)是，Si很容易就會變成二氧化硅（在電子元件中，這是一種很好的絕緣體）。二氧化硅可以輕易地被整合到Si電路中，且二氧化硅和Si擁有很好的界面特性。反觀，GaAs不能產(chǎn)生一層穩(wěn)定且附著在GaAs上的絕緣層。

第三，大概也是最重要的Si的優(yōu)點(diǎn)，是Si擁有高很多的電洞移動率。在需要CMOS邏輯時(shí)，高的電洞率可以做成高速的P-通道場效應(yīng)晶體管。如果需要快速的CMOS結(jié)構(gòu)時(shí)，雖然GaAs的電子移動率快，但因?yàn)樗墓β氏母撸允沟腉aAs電路無法被整合到Si邏輯電路中。

砷化鎵的異質(zhì)結(jié)構(gòu)

因?yàn)镚aAs和AlAs的晶格常數(shù)幾乎是一樣的，所以可以利用分子束磊晶（molecular beam epitaxy, MBE）或有機(jī)金屬氣相磊晶 （metal-organic vapour phase epitaxy，MOVPE，也稱做有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法），在GaAs上輕易地形成異質(zhì)的結(jié)構(gòu)，如成長砷化鋁（AlAs）或砷化鋁鎵（AlxGa1-xAs）合金。且因?yàn)槌砷L出來的層應(yīng)力很小，所以幾乎可以成長任意的厚度。

GaAs的另一個(gè)很重要的應(yīng)用是高效率的太陽電池。1970年時(shí)，Zhores Alferov和他的團(tuán)隊(duì)在蘇聯(lián)做出第一個(gè)GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的太陽電池。 用GaAs、Ge和InGaP三種材料做成的三接面太陽電池，有32%以上的效率，且可以操作在2,000 suns下的光。這種太陽電池曾運(yùn)用在探測火星表面的機(jī)器人：精神號漫游者 (spirit rover) 和機(jī)會號漫游者 (opportunity rover)。而且很多太陽電池都是用GaAs來做電池陣列的。

利用Bridgeman技術(shù)可以制造出GaAs的單晶，因?yàn)镚aAs的力學(xué)特性，所以用Czochralski法是很難運(yùn)用在GaAs材料的。但，曾經(jīng)有人有Czochralski法做出超高純度的GaAs當(dāng)做半絕緣體。

安全

GaAs的毒性至今仍沒有被很完整的研究。因?yàn)樗蠥s，經(jīng)研究指出，As是有毒的，As也是一種致癌物質(zhì)。但，因?yàn)镚aAs的晶體很穩(wěn)定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實(shí)是可以忽略的。當(dāng)要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變小）時(shí)，表面的區(qū)域會和水起反應(yīng)，釋放或分解出少許的As。就環(huán)境、健康和安全等方面來看GaAs（就像是三甲基鎵 trimethylgallium和As）時(shí)，及有機(jī)金屬前驅(qū)物的工業(yè)衛(wèi)生監(jiān)控研究，都最近指出以上的觀點(diǎn)。

想知道晶圓是什么東西？

晶圓是電路制作所用的硅晶片。由于其形狀為圓形，故稱為晶圓，在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品，半導(dǎo)體集成電路最主要的原料是硅，因此對應(yīng)的就是硅晶圓。

晶圓的工藝

初次氧化，由熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)，熱CVD，此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜）等，故用途極廣。

硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟，硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型，制造工藝，表面清洗，晶圓表面附著大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)層，在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。

晶圓si是什么材質(zhì)的介紹就聊到這里吧，感謝你花時(shí)間閱讀本站內(nèi)容。